Линейный усилитель мощности для звуковых частот (рис.32) и диапазона сверхдлинных волн (рис.33) имеет Рвых.=750 Вт в диапазоне 50 Гц…350кГц при 1% нелинейных искажений и уровне интермодуляционных искажений 3-го порядка -40дБ, потребляет 7…8 А (Uпит=190…200 В и Рвых. макс.) и 0,5…1,0 А в режиме  ”молчания”. КПД=60%. В схеме усилителя применён комплементарный выходной каскад на полевых транзисторах. Оба плеча управляются синфазно и включены по схеме с общим стоком (двухтактный истоковый повторитель).  Для предотвращения переходных процессов (броска тока) в момент подачи питания его источник (рис.34) обеспечивает плавное нарастание Uпит. До 190…200 В, что решено с помощью С2. Дополнительно можно подавать питание через резистор, а через 5 сек. его "закоротить”. Ток покоя оконечного каскада 0,3 А, общий – 0,4 А. Для устранения паразитных колебаний в УКВ диапазоне последовательно с затвором установлены R3 и R8. С помощью R1 на стоке Т1 устанавливают      Uпит/2 (ок.100 В). Сопротивление резистора R4 вместе с реактивным сопротивлением Dr1 рассчитываются так, чтобы получить верхнюю граничную частоту более 500кГц. Все транзисторы установлены на радиаторы. Для достижения максимальной выходной мощности  достаточно подать на вход сигнал напряжением 1 В. Вместо мощных  выходных транзисторов можно использовать параллельное соединение нескольких менее мощных. При этом результирующая входная ёмкость получится меньше, чем у одного мощного.  Кроме того, несколько отдельных транзисторов лучше отдают тепло радиатору. В длинноволновом варианте необходимо поднять выходное сопротивление до 50 Ом. Для этой цели используется автотрансформатор (рис.33) – 6 витков одновременно четырьмя проводами (литцендрат или МГТФ сечением 0,75 мм.кв.) на четырёх сложенных вместе ферритовых кольцах проницаемостью около 3000, внутренним диаметром  15 мм и внешним – 25 мм. Провода обмоток должны укладываться параллельно, без скруток. Обмотки соединяются последовательно (конец предыдущей обмотки с началом следующей). Радиатор – алюминиевый ребристый 30х150х185 мм.

Детали усилителей (рис.32,33): Т1–IRFP451; T2–10xIRF620; T3–15xIRF9622; Z1 – 6,5 B; Dr1 – 2,7мГн; C1 – 220…500 мкФ х 50 В; С2 – 2 х 0.01…220 мкФ х250 В; С3,С5–5х220 мкФх250 В; С4–0.003…0.01 мкФ х 250 В; C6–1000…2000 мкФ х 250 В; R1–50kOm; R2–750kOm…1 MОm; R3,R8–26x80…120 Om (0.5ВТ); R4–800…1100 Om (12ВТ); R5,R7 – 2 x 56 kOm (2ВТ); R6 – 2,5 kOm (1ВТ); R9,R10 –26 x 3.9 Om (1ВТ);

Детали БП (рис.34) : Si1 – 8…10 A; Br1 – 200 B/10 A; C1 – 5000 мкФ х 250 В; C2–100 мкФ х 250 В; C3–1000 мкФ х 250 В; R11–50…70 кОм (0,5 Вт); R12–100 Ом; R13 – 1 Ом (2…4 Вт); R14 – 30 кОм; Z1 – 200 B;  T4 – 5x IRFP451.